真空鍍膜是真空應用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō)，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體（稱(chēng)基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱(chēng)為真空鍍膜。

眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過(guò)通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學(xué)還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時(shí)還會(huì )產(chǎn)生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱(chēng)之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

真空鍍膜則是相對于上述的濕式鍍膜方法而發(fā)展起來(lái)的一種新型鍍膜技術(shù)，通常稱(chēng)為干式鍍膜技術(shù)。

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較，具有下列優(yōu)點(diǎn)：

(1)薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進(jìn)行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。

(2)在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。

(3)薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。

(4)干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無(wú)環(huán)境污染。

真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn)：

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過(guò)程中所形成蒸氣分子的運動(dòng)，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，大大擴大了制膜材料的選用范圍，無(wú)論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。

(3)蒸發(fā)或濺射出來(lái)的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過(guò)程中，對其膜厚可進(jìn)行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。

(4)每種薄膜都可以通過(guò)微調閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分數，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分數降低到最小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無(wú)法實(shí)現的。

(5)由于鍍膜設備的不斷改進(jìn)，鍍膜過(guò)程可以實(shí)現連續化，從而大大地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量，而且在生產(chǎn)過(guò)程中對環(huán)境無(wú)污染。

(6)由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實(shí)性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好。